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3.1 共源放大器 Common-Source Stage

单晶体管放大器,其 Source 连接到 AC ground 即为共源放大器。

当前章节主要关心

  1. DC Swing(直流电压工作点)
  2. Small-Signal Gain
  3. Input/Output Resistance

Load 可以放电阻,不能放电容,能放电感但是就 keep VDD 了。

3.1.1 大信号分析

Cut off 区和 triode 区放大能力都不好,最好是饱和区。

输入范围:(VTH,Vin1),输出范围:(VDS=VGSVTH,VDD)

3.1.2 小信号增益

这里说的 VinAv 的影响,其实更多考虑的是 VB 的部分,因为小信号很小。

用小信号模型分析小信号就很容易。
如果晶体管多了就难了,但是如果电路是线性的,用小信号模型进行计算机计算就很容易。

由于 RD 在几百 Ω 到几千 Ω 之间,而 ro 在几十 kΩ 到几百 kΩ 之间,所以 RDro 可以取为 RD
晶体管是朝着作为电流源去的,所以输出电阻要无穷大。

DANGER

这跟前面讲的不一样啊,电压输出电流输出型的应该输出电阻无穷大,输出电阻要无穷小啊? 根据后面的讲解,这里的 ro 不是真正意义上的输出电阻。

本征增益用电阻负载是不可能实现无穷大的,因为 Vout=VDDidRD,所以若 RD 无穷大,则 Vout=0

跨导在线性区时,随着 Vin 的增加,VDS 会越来越小。也就是说在线性区,晶体管对电流的控制能力下降。

有趣的例题。

3.1.3 输入输出电阻

测试的时候,就是给电压源,测电流。
测输入的时候不用短路输出,但是测输出的时候要短路输入(如何短路输入?)。

3.1.4 Triode Range

在 Triode Range 就变成了压控电阻。

3.1.5 如何计算 Vin1

所以 Vin1 并非一个绝对的点,是相对 RD 变化的。

电阻流过的电流和晶体管内流过的电流和 Vout 有各自的函数关系,但通路只有一条,所以 ID 一定等于 IR
摆幅小指的是由于 Vin1 下降导致的 Vout 整体的下降。
下图中 R2>R>R1

3.1.6 CS Stage with diode-connected load

把 GS 端接在一起,MOS 就变成了一个二极管。

分析三部曲:讨论大信号,讨论增益,讨论输入输出电阻。
M2 会自适应的调节 VS 来适应 M1 产生的电流。

VTH2 有衬偏效应,所以是 almost。

  1. 考虑 I1 是一个电流源,从有值切换到无值,Vout 会上升,并且当 Vout=VDDVTH2 时,I1 为 0,但是由于寄生电容 CP 的存在,当电流切为 0 时,Vout 是缓慢上升的。
  2. 然后由于亚阈值电流的存在,所以最终 Vout 会上升为 VDD

在本书学习中,不考虑最终亚阈值电流的问题,认为 Vout 最大值为 VDDVTH2