Ch2. 基本概念
关于 MOSFET 基本概念和 I-V Curve 放在 Seminotes 中,不在此处重复。
Analog 的主要研究对象:

2.1 信号种类
偏置量(直流量),小信号,瞬时量。

TIP
不理解为什么必须要用电容和电阻。
2.2 到底什么是放大器的增益
不能用直流量的输入输出来衡量放大器的增益,因为当

只有输入的
注意放大的部分符号是反向的。


TIP
注意下图中,
暂不考虑

2.3 跨导

前两个图对设计有帮助,因为一般尺寸都定好了。

2.4 二阶效应
2.4.1 体效应
体效应(背栅效应):对 长沟道 NMOS 而言,Bulk 加负压或者 Source 加正压,Vt 升高。

注意
NMOS


栅跨导控制电流的能力是体跨导控制电流能力的 3~10 倍。

体效应提供了另一种调控 drain current 的方法, 在 DNW 技术中,可以变废为宝。

2.4.2 沟道长度调制效应

调制系数

沟道长度调制效应对电流的影响可以看作是晶体管输出电阻的改变,要改变这个输出电阻,可以通过改变

最终得到的模型,受到

2.4.3 亚阈值导电性
DANGER
式中
工作在亚阈值的管子:
- 功耗低
- 噪声大
- 速度慢

2.5 寄生电容
两类寄生电容:
- 介质电容质量比较好,因为二氧化硅做好了,特性也就确定了。
- 还有就是二极管反型形成的结电容。

这类电容太多了,需要汇总到一起,一般只考虑影响最大的




最终得到了如下的 MOSFET 模型:

因为下面三个很小,所以一般不考虑,这些电容最终影响的是频率响应。(第六章)
2.6 Further Scaling and I-V Curve
当器件尺寸进入到纳米级时,平面晶体管的 I-V Curve 的平方律特性就减弱很多。有了新的设计方法

当使用 FinFET 了之后,由于栅控能力更强,I-V Curve 又回到了平方律,前面所述的模型又有了用武之地。
但是 FinFET 的 W 是固定的,不能轻易改变,所以想要做出不同 W 的管子,只能通过并联的方式来实现。

Ch3. 单极放大器(Single-Stage Amplifier)
一个理想的放大器应该是线性的,对一个信号的泰勒展开式,常数为直流项,一次项为线性项,我们希望更高次项的系数为 0,虽然这很难做到。
第三章讲的放大器都是非线性的,只是程度有所不同。
由于电路中电容的存在,所以频率不可能无限大。
TIP
模拟电路一头是噪声,一头是线性(因为放大能力和
同理,希望输出电阻无限小。
TIP
对电压型放大器是这样,如果前端是电流型或功率型的输入,那就不能要无穷大的输入电阻了,如电流型输入,输入电阻要越低越好否则输入电压就很高,而输出电阻则希望越高越好。
本章讲的放大器,输入往往是电压型,而输出是电流。

DANGER
下面这个图重新画一下


输入输出电阻有的叫阻抗,阻抗是包括电容电感等在内的复电阻的。
