Skip to content

Ch2. 基本概念

关于 MOSFET 基本概念和 I-V Curve 放在 Seminotes 中,不在此处重复。

Analog 的主要研究对象:

2.1 信号种类

偏置量(直流量),小信号,瞬时量。

TIP

不理解为什么必须要用电容和电阻。

2.2 到底什么是放大器的增益

不能用直流量的输入输出来衡量放大器的增益,因为当 VB 为 0 时,Vout=VDD,当 VB 很大时,Vout 又很小(ID 很大)。

只有输入的 va 很小的时候,非线性项才可以忽略。放大器放大的是施加在偏置上面的一个微小的变化。
注意放大的部分符号是反向的。

TIP

注意下图中,RD 下方接地了,这是因为在小信号模型中,所有不动的电压都是地,也就是说只考虑小信号的激励,忽略大信号的激励。
暂不考虑 VDS 对电流 ID 的影响,除非考虑沟道调制效应。

2.3 跨导

前两个图对设计有帮助,因为一般尺寸都定好了。

2.4 二阶效应

2.4.1 体效应

体效应(背栅效应):对 长沟道 NMOS 而言,Bulk 加负压或者 Source 加正压,Vt 升高。

注意 γ 项完全和工艺有关,而且它是有量纲的。
NMOS γ 为正值,PMOS 为负值。

栅跨导控制电流的能力是体跨导控制电流能力的 3~10 倍。

体效应提供了另一种调控 drain current 的方法, 在 DNW 技术中,可以变废为宝。

2.4.2 沟道长度调制效应

1L1(1ΔL/L)1L(1+ΔLL) 使用了无穷小代换。

调制系数 λ 受到工艺和 L 的影响,也就是收到工艺和设计的影响。
VA 即为厄雷电压,想降低 λ 即可以通过增大 L 来实现。

沟道长度调制效应对电流的影响可以看作是晶体管输出电阻的改变,要改变这个输出电阻,可以通过改变 λ 来实现也就是改变 L,或者通过改变 IDS 来实现,即改变 VGS

最终得到的模型,受到 VGSVBSVDS 影响。

2.4.3 亚阈值导电性

DANGER

式中 VT 不是阈值电压,VT=kT/Q,在室温下约等于 26mV。也就是 VDS>100mV

工作在亚阈值的管子:

  1. 功耗低
  2. 噪声大
  3. 速度慢

2.5 寄生电容

两类寄生电容:

  1. 介质电容质量比较好,因为二氧化硅做好了,特性也就确定了。
  2. 还有就是二极管反型形成的结电容

这类电容太多了,需要汇总到一起,一般只考虑影响最大的 CGSCGD

CGS 是一个非线性压控电容,积累效应带来的积累电容很大,随着反型又变大。当高频的时候,这个电容特性很弱,因为载流子跟不上。

最终得到了如下的 MOSFET 模型:

因为下面三个很小,所以一般不考虑,这些电容最终影响的是频率响应。(第六章)

2.6 Further Scaling and I-V Curve

当器件尺寸进入到纳米级时,平面晶体管的 I-V Curve 的平方律特性就减弱很多。有了新的设计方法 Gm/ID

当使用 FinFET 了之后,由于栅控能力更强,I-V Curve 又回到了平方律,前面所述的模型又有了用武之地。
但是 FinFET 的 W 是固定的,不能轻易改变,所以想要做出不同 W 的管子,只能通过并联的方式来实现。

Ch3. 单极放大器(Single-Stage Amplifier)

一个理想的放大器应该是线性的,对一个信号的泰勒展开式,常数为直流项,一次项为线性项,我们希望更高次项的系数为 0,虽然这很难做到。
第三章讲的放大器都是非线性的,只是程度有所不同。
由于电路中电容的存在,所以频率不可能无限大。

TIP

模拟电路一头是噪声,一头是线性(因为放大能力和 Vin 有关)。

Vin=V1RinRS+Rin,如果 Rin 无穷大,则 Vin=VS,无损传递。
同理,希望输出电阻无限小。

TIP

对电压型放大器是这样,如果前端是电流型或功率型的输入,那就不能要无穷大的输入电阻了,如电流型输入,输入电阻要越低越好否则输入电压就很高,而输出电阻则希望越高越好。
本章讲的放大器,输入往往是电压型,而输出是电流

DANGER

下面这个图重新画一下

输入输出电阻有的叫阻抗,阻抗是包括电容电感等在内的复电阻的。